R&D Plan in 2010

1.Improved wide temperature and high saturation material

2.High Tc and high μ material development

3.Improved Ni-Zn low αF material

4.Ni-Zn high stress resistance material development

5.EMI Flexible Sheet development

Achievement in 2009

1.Wide temperature and high saturation material(P47)

2.High frequency(up to 3MHz) power material

3. Ni-Zn low αF material(F50、F51)

4.Wideband EMI suppression material(N51)