※ 2008年研究计划

1.宽温高饱和磁束密度材质开发

2.高初导磁率宽频材质开发

3.Ni-Zn 低温度敏感性材质开发

※ 2007年研究成果

1.A061 Lan Card用宽温高初导磁率材质.

2.N07 通讯用宽温Low THD材质

3.N5 EMI滤波材质

4.Ni-Zn 低铁损功率材质(K081、K12)

5.Ni-Zn 高饱和磁束密度材质(B25、B30、B45)